電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
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概要
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ナノショットキー接触界面の電気的特性を、理論的および実験的立場から検討した。計算機シミュレーションの結果から、ナノショットキー界面直下のポテンシャル形状は電極周囲の影響を強く受け、電流輸送特性は、マクロなショットキー接触とは異なる熱電子放出電流特性を示すことが明らかとなった。このような周囲の影響は、半導体自由表面のフェルミ準位のピンニング現象に起因し、電極サイズが減少するほど顕著になる。一方、電気化学プロセスを用いて作製したナノショットキー接触の電気的特性を導電性AFMで評価した結果、電流-電圧特性はシミュレーション結果と良く一致し、周囲のフェルミ準位のピンニングがナノショットキー接触の電流輸送に大きな影響を与えることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-10
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
岡田 浩
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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