GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• ナノワイヤ3分岐接合デバイスは,低温から室温までの広い温度領域において特異な非線形特性を示し,論理回路や高周波回路への応用が期待されている.回路応用においては,メカニズムの理解と目的に応じた特性制御が必要である.本稿ではショットキーラップゲートを備えたGaAsナノワイヤ3分岐接合のデバイスの試作とその詳細評価を行い,ショットキーラップゲートやナノワイヤ長が非線形特性および動作速度に与える効果を調べ,非線形特性メカニズムや特性制御について検討を行った.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-02-19

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 中田 大輔

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター

• アブドゥール ラーマン

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 中田 大輔

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• アブドゥール ラーマン

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター:北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 白鳥 悠太

  北大院情報科学および量集センター

• 葛西 誠也

  北海道大学

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