葛西 誠也 | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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概要
関連著者
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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三浦 健輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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三浦 健輔
北大院情報科学および量集センター
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学
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中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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中村 達也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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村松 徹
北大院情報科学および量集センター
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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中野 雄紀
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学部電気工学科
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Hozawa H
Department Of Biomedical Engineering Graduate School Of Biomedical Engineering Tohoku University
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中田 大輔
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
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Hasegawa Haruhiro
Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center
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Hasegawa Hideki
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
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趙 洪泉
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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アブドゥール ラーマン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
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柴田 啓
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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中田 大輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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アブドゥール ラーマン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター:北海道大学大学院情報科学研究科
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浅井 哲也
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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浅井 哲也
はこだて未来大複雑系
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バジール アルベルト
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
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松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
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袴田 靖文
大阪大学産業科学研究所
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佐藤 将来
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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HASHIZUME Tamotsu
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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前橋 兼三
阪大産研
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湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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阿部 裕二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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古川 拓也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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松本 和彦
大阪大 産科研
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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木村 健
北海道大学工学研究科
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湯元 美樹
東芝研究開発センター
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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古川 拓也
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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葛西 誠也
JSTさきがけ
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木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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湯元 美樹
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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木村 祐太
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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孫 屹
大阪工業大学
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佐々誠 彦
大阪工業大学
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前元 利彦
大阪工業大学
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殷 翔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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木村 祐太
大阪工業大学
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今井 裕理
北海道大学大学院情報科学研究科
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HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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SATO Taketomo
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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ZHAO Hong-Quan
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
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葛西 誠也
北大院情報科学
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Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
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Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
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白鳥 悠太
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科
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中村 達也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田中 貴之
北海道大学大学院情報科学研究科及び量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
- A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
- 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-9 GaAsナノワイヤCCDの試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴 (シリコン材料・デバイス)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴 (電子デバイス)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-10-21 GaAsナノワイヤFETを利用した確率共鳴の発現と雑音による信号検出能力の向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-10-12 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CT-2-3 雑音共存確率共鳴トランジスタ(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))