SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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概要

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• 半導体電界効果トランジスタ(FET)の微細化に伴い素子自身が発する雑音が増大しており,雑音特性の理解と制御が重要になっている.本研究では,絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETを試作し,低周波雑音特性の評価を行った.エッチングで形成したGaAsナノワイヤFETにSiN_x絶縁ゲートを設けることで導入した電子トラップの影響,および,素子サイズと低周波雑音強度やスペクトルの相関を実験的に検討した.SiN_x絶縁ゲートの挿入により低周波雑音は増大した.観測された雑音スペクトルは1/f^2であり,離散トラップの充放電によるランダムテレグラフシグナル(RTS)が主である.雑音スペクトルと強度はナノワイヤ幅に依存し,サイズ縮小にともないスペクトルは1/fから1/f^2へ遷移した.

• 2011-07-22

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 三浦 健輔

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 白鳥 悠太

  北大院情報科学および量集センター

• 三浦 健輔

  北大院情報科学および量集センター

• 村松 徹

  北大院情報科学および量集センター

• 村松 徹

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 村松 徹

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学

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