村松 徹 | 北大院情報科学および量集センター
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概要
関連著者
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村松 徹
北大院情報科学および量集センター
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北海道大学
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村松 徹
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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三浦 健輔
北大院情報科学および量集センター
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佐藤 将来
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
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谷田部 然治
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北大院情報科学
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三浦 健輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- C-10-11 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 (電子デバイス)
- SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)