SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である.本研究では次世代集積回路スイッチングデバイスの1つであるIII-V族化合物半導体絶縁ゲートナノワイヤトランジスタをとりあげ,低周波雑音の素子サイズ依存性の評価及びその解析を行った.本素子ではゲート絶縁膜であるSiN中の電子トラップ充放電による雑音が観測された.ナノワイヤ幅の微細化にともない雑音強度が増加すると同時に,スペクトル形状が1/fから1/f^2に連続的に変化した.電子トラップ分布を仮定したスペクトル計算を行い,特定の時定数を有するトラップの時定数分布広がりによってスペクトルの形状が連続的に変化することを説明する.
- 2012-01-31
著者
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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村松 徹
北大院情報科学および量集センター
-
村松 徹
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
谷田部 然治
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学
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