葛西 誠也 | 北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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概要
関連著者
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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湯元 美樹
東芝研究開発センター
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三浦 健輔
北大院情報科学および量集センター
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湯元 美樹
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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三浦 健輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北大院情報科学および量集センター
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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村松 徹
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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村松 徹
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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長谷川 英機
北海道大学工学部電気工学科
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Hozawa H
Department Of Biomedical Engineering Graduate School Of Biomedical Engineering Tohoku University
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中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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中村 達也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
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Hasegawa Haruhiro
Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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Hasegawa Hideki
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
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Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
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SATO Taketomo
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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中野 雄紀
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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古川 拓也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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柴田 啓
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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木村 健
北海道大学工学研究科
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古川 拓也
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 将来
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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HASHIZUME Tamotsu
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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阿部 裕二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
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中田 大輔
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
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中田 大輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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前橋 兼三
阪大産研
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ZHAO Hong-Quan
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
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葛西 誠也
北大院情報科学
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松本 和彦
大阪大 産科研
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大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
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松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
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袴田 靖文
大阪大学産業科学研究所
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Hashim Abdul
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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Kotani Junji
Eindhoven Univ. Technol. Eindhoven Nld
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Kotani Junji
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
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TAKEUCHI Mariko
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Scienc
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Takeuchi Mariko
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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Tamai Isao
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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Jia Rui
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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TAMAURA Takahiro
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te
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葛西 誠也
JSTさきがけ
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Yumoto M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Tamaura Takahiro
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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Hashim Abdul
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
著作論文
- Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
- A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
- 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
- Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 量子細線ネットワークと論理回路応用
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-9 GaAsナノワイヤCCDの試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Large Conductance Modulation in Interdigital Gate HEMT Device due to Surface Plasma Wave Interactions and Its Device Application
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Hexagonal Binary Decision Diagram Quantum Circuit Approach for Ultra-Low Power III-V Quantum LSIs
- Embedded Nanowire Network Growth and Node Device Fabrication for GaAs-Based High-Density Hexagonal BDD Quantum Circuits
- Investigation of Side-gating Effects in GaAs-based Quantum Wire Transistor (QWRTr) utilizing Nanosized Schottky Gates
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistors
- C-10-12 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Teraheltz Response of Schottky Wrap Gate-Controlled Quantum Dots
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- Effects of surface states on control characteristics of nano-meter scale Schottky gates formed on GaAs
- CT-2-3 雑音共存確率共鳴トランジスタ(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)