光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• 半導体ナノワイヤ3分岐接合(TBJ)デバイスは,単純な構造ながら室温において特異な非線形特性を示し,アナログ回路やディジタル回路などへの様々な応用が期待されている.応用のためには動作機構に対する理解を深めることが不可欠である.本研究では,エッチングで形成したGaAsナノワイヤTBJデバイスへの光照射により局所的にコンダクタンスを増加させ構造中のコンダクタンスのドメイン箇所を同定する方法で非線形特性の評価を行い,これに基づき非線形動作の機構について検討する.

• 2012-01-31

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 村松 徹

  北大院情報科学および量集センター

• 村松 徹

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 佐藤 将来

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 村松 徹

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学

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