Conductance Oscillation Characteristics of GaAs Schottky Wrap-Gate Single Electron Transistors
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概要
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Conductance oscillation characteristics in GaAs-based Schottky wrap gate (WPG) single electron transistors (SETs) were investigated both experimentally and theoretically in view of application as a key switching device in future quantum integrated circuits. Fabricated WPG SETs showed that clear conductance oscillation characteristics with a small number of high conductance peaks. A simple theory based on a quantum mechanical treatment reproduced qualitatively the features of the experimentally observed conductance peaks, indicating that the resonant tunneling contributes to currents in the WPG SETs. However, quantitatively, a discrepancy existed between theory and experiment on the temperature dependence of peak heights.
- Elsevierの論文
- 1999-12-01
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Satoh Yoshihiro
Division of Pathology, Isehara Kyodo Hospital
-
Satoh Yoshihiro
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Satoh Yoshihiro
Mitsubishi Electric Corporation
-
Satoh Y
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Satoh Y
Division Of Pathology Isehara Kyodo Hospital
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