GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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雑音により系の応答が向上する確率共鳴現象を,GaAsナノワイヤネットワーク上に形成したトランジスタを用いて観測することに成功した.しきい値を越えない微弱入力信号に無相関雑音を付加しゲートに与え,ドレイン電流を出力とすると,特定の雑音下において入出力相関値がピークをもつ応答特性が得られた.ピーク点での相関値は,線形系の平均化処理を上回る.また,加算ネットワークを構成すると,並列素子数の増加とともに入出力相関はさらに強くなった.観測された一連の振る舞いを,確率微分方程式を解析することで説明を試みた.
- 2009-02-19
著者
-
浅井 哲也
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
浅井 哲也
はこだて未来大複雑系
-
白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
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趙 洪泉
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
-
葛西 誠也
北海道大学
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