サブスレッショルドMOSFETを用いたPTAT電流生成のための微小フローティング電圧源回路
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概要
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A floating millivolt reference circuit to generate a PTAT current was developed by using MOSFETs operated in the subthreshold region. The circuit generates a floating voltage of 10 mV. The variations in the reference are ±2.7 % in a temperature range from -20 to 100°C. The total power consumption of the circuit was 1.3 μW.
- 2009-12-01
著者
-
上野 憲一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
廣瀬 哲也
神戸大学 大学院 工学研究科
-
浅井 哲也
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
雨宮 好仁
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
廣瀬 哲也
神戸大学大学院工学研究科
-
雨宮 好仁
北海道大学大学院情報科学研究科
-
浅井 哲也
はこだて未来大複雑系
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