バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス(ニューロコンピューティングの実装とシステム化,ニューロコンピューティングの実装とシステム化,一般)
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概要
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抵抗変化メモリ(resistive RAM:ReRAM)を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは,バイポーラ型抵抗変化メモリ素子,キャパシタ,および二つのnMOS FETからなるCMOS-ReRAMハイブリッド回路である。試作デバイスを用いた実験により、i)用いたバイポーラ型抵抗変化メモリ素子がメモリスタの数理モデルと質的に等価であること,ii)バイポーラ型抵抗変化メモリ素子とキャパシタからなるCR回路にスパイク電圧を与えた場合、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが変化しないこと,iii)上記ii)のキャパシタの充放電過程において、キャパシタの電荷をリークさせることにより、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが増加すること,および、iv)上記ii)とiii)により、スパイクタイミングに応じてコンダクタンスが変化するSTDPシナプスデバイスが構成可能であることを示す。
- 2010-10-16
著者
-
川合 知二
大阪大学産業科学研究所
-
浅井 哲也
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
雨宮 好仁
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
雨宮 好仁
北海道大学大学院情報科学研究科
-
浅井 哲也
はこだて未来大複雑系
-
赤穂 伸雄
北海道大学 工学部 情報エレクトロニクス学科
-
柳田 剛
大阪大学産業科学研究所
-
赤穂 伸雄
北海道大学大学院情報科学研究科
-
柳田 剛
亀田総合病院外科
-
川合 知二
大阪大学産業科学研究
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