MOSFETのサブスレッショルド特性を利用したスマート温度センサLSIの検討(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
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概要
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MOSFETのサブスレッショルド電流特性を利用した温度センサを提案する。サブスレッショルド領域での電流特性は、温度に対して指数的に変化する。また、その電流値は数十nAオーダの微小電流であり、極低電力の動作である。この物理特性を利用して,従来方式とは異なる温度センサLSIを構成することができる。実際にセンサ回路を設計し、その動作をSPICEシミュレーションにより確認した。この温度センサは、サブスレッショルド領域で動作するCMOS回路からなり、6μW程度の極低電力で動作する。
- 2006-07-20
著者
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