広範囲な活性化エネルギーに適応可能なCMOS品質劣化モニタセンサLSI(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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MOSFETのサブスレッショルド電流の温度依存性は「食品や医薬品の劣化速度の温度依存性」と相似の関係にある。このことを利用すると、食品や医薬品の品質が貯蔵・輸送・配達の過程で劣化していく様子を模擬するセンサ-品質監視センサ-をMOS回路で構成することができる。この品質監視センサに必要なことは、生鮮食品から保存製品にいたる種々の対象物を模擬するために、回路の活性化エネルギー値を広い範囲(0.1〜0.8eV)で設定調節できることである。本研究では、アナログディジタル混載構成により広範囲の活性化エネルギーを設定可能としたCMOSセンサ回路を提案する。このセンサを食品や医薬品に貼り付けることにより、生産者から消費者にいたる流通過程での品質劣化の進行を刻々模擬することができる。消費者はセンサの出力を読みとることにより品物の鮮度をその場で判断できるので、迅速かつ適切な品質監視が可能となる。本センサはサブスレッショルド領域で動作するコンパクトなCMOS回路からなり、試作チップは10μW以下の低消費電力で動作した。
- 2006-08-10
著者
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