ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
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概要
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GaNおよびAlGaN/GaNへテロ構造に対してメタン系RIBEを行い、in-situXPS, SEM, AFM, PLにより、エッチング表面の特性を詳細に評価した。CH_4/H_2/Ar混合ガスを用いた場合、エッチングされたGaN表面は荒れたモフォロジーとなり、同時に窒素空乏が生じた。N_2ガスを添加した場合、エッチングレートの低下と表面モフォロジーの大幅な改善がみられ、エッチング前の値と同程度の表面ラフネスrms値が得られた。また、化学量論的組成に非常に近いエッチング面が達成できた。エッチングガスへのN_2ガス添加の効果は、AlGaN/GaNヘテロ構造のエッチング面でも同様であり、また、光学特性の向上が見られた。エッチングプロセス条件の最適化により、線幅110nmのAlGaN/GaNナノ細線を形成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
遠藤 眞
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
-
金 智
電気通信大学
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
金 智
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学
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