金 智 | 電気通信大学
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概要
関連著者
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金 智
電気通信大学
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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野崎 眞次
電気通信大学
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内田 和男
電気通信大学
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学
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小野 洋
電気通信大学電子工学専攻
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森崎 弘
電気通信大学
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遠藤 眞
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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黒川 愛里
電気通信大学
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内田 和男
電通大
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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金 智
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび
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小野 洋
電気通信大学
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学
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野崎 眞次
電気通信大学大学院情報理工学研究科
著作論文
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス