InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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エミッタサイズの異なるInGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBTs)をウェットエッチングプロセスのみで作製し、電気的特性に与える表面再結合の影響を調査した。比較のために、エミッタ端からベースへ横方向に拡散する電子の再結合の抑制を狙い、露出した外部ベース表面に硫黄パッシベーション及びInGaP層を用いたレッジパッシベーションを行った。その結果、InGaPレッジパッシベーションを行ったHBT'sでは、高電流利得、低表面再結合電流密度が得られた。さらに、電気的ストレス印加時に生じるエミッタ-ベース界面の欠陥を抑制し、ストレスに対する安定性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-11
著者
-
野崎 眞次
電気通信大学
-
内田 和男
電気通信大学
-
小野 洋
電気通信大学電子工学専攻
-
森崎 弘
電気通信大学
-
黒川 愛里
電気通信大学
-
金 智
電気通信大学
-
内田 和男
電通大
-
小野 洋
電気通信大学
-
野崎 眞次
電気通信大学大学院情報理工学研究科
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