自然超格子を有するGaInP/GaAsヘテロ構造におけるホトルミネッセンスアップコンバージョンの高圧及び高磁場を用いた研究
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概要
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Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy法で成長した自然超格子を有するGaInPとGaAsで構成されるシングルへテロ構造において観察されたホトルミネッセンスアップコンバージョン(PLU)を高磁場, 静水圧下で評価した. 高磁場による実験より, PLUを示すサンプルはタイプIIのGaInP/GaAsバンド不連続とGaInP中に局在する発光中心を有することが明らかとなった. また一連のサンプルの中でPLUを示さないタイプIのGaInP/GaAsバンド不連続を有するサンプルに1.2GPaの静水圧を加えることでバンド不連続をタイプIIに調整することにより, PLUが観察され, これら結果よりタイプIIバンド不連続がPLU具現化のための条件の一つであることが確認された.
- 1999-07-25
著者
-
内田 和男
電気通信大学
-
松本 功
日本酸素(株)つくば研究所
-
YU Peter
カリフォルニア州大バークレー校物理
-
ZEMAN Jan
チェコスロバキア・アカデミーサイエンス
-
MARTINEZ Gerard
グルノーブル高磁場研究所CNRS研究部
-
松本 功
日本酸素 つくば研
-
内田 和男
電通大
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