有機金属気相成長法によるIII-V化合物半導体量産コストと製造装置
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概要
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近年、有機金属気相成長法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy、以下MOVPEと略記)は化合物半導体の量産技術として幅広い応用分野で用いられるようになってきた。テーブル1はMOVPEにより現在成長されているIII-V化合物半導体材料をデバイス応用と波長に関してまとめたものである。ちょうど波長560nmから1,550nmまでが量産段階にある。短波長側はInGaNを用いた450nmの青色発光ダイオードがサンプル出荷されるようになっている。また長波長側では2.0μmの半導体レーザが試作されている。デバイスの種類としても半導体レーザ、発光ダイオードのような光デバイスとHEMTに代表される電子デバイスまで多伎にわたっている。本論文ではMOVPE装置のスケールアップに伴う課題とエピタキシャルウエハのコストについて考察した結果を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
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