InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタの温度特性(半導体材料・デバイス)
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概要
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InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の温度特性はこれまで多く調べられ,報告されているが,InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタ(HPT)の温度特性についてはほとんど報告例がない.本研究では,白色光に対する光応答の高感度検出への応用を目的に,InGaP/GaAs HPTを作製し,300〜400Kの温度範囲でInGaP/GaAs HPTの電流利得β及び受光感度Sを測定した.その結果,電流利得βは温度とともに減少し,受光感度Sは320Kまで増加するがその後は減少した.これらの実験結果は,HPTの三端子等価回路により説明された.また,HBTにおいて露出した高濃度GaAsベース表面でのキャリヤの再結合を抑制し,電流利得を高めるエミッタレッジパッシベーションのHPTにおける効果も検証した.エミッタレッジパッシベーションは,HPTにおいても全ての測定温度で高い電流利得β及び受光感度Sを維持するのに有効であった.特にエミッタレッジパッシベーションは,HBT以上にHPTの高性能化に貢献することが明らかとなった.
- 2013-09-01
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