内田 和男 | 電通大
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概要
関連著者
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内田 和男
電気通信大学
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内田 和男
電通大
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野崎 眞次
電気通信大学
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野崎 眞次
電気通信大学大学院情報理工学研究科
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森崎 弘
電気通信大学
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小野 洋
電気通信大学電子工学専攻
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小野 洋
電気通信大学
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小泉 淳
電気通信大学
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楊 富穎
電気通信大学
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黒川 愛里
電気通信大学
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金 智
電気通信大学
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本城 和彦
電気通信大学
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本城 和彦
(株)ワイケーシー
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中嶋 信生
電気通信大学人間コミュニケーション学科
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後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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後藤 博一
サンケン電気株式会社
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古嶌 勝貴
電気通信大学
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鹿内 洋志
サンケン電気株式会社
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松本 功
日本酸素(株)つくば研究所
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中嶋 信生
電気通信大学
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YU Peter
カリフォルニア州大バークレー校物理
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ZEMAN Jan
チェコスロバキア・アカデミーサイエンス
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MARTINEZ Gerard
グルノーブル高磁場研究所CNRS研究部
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後藤 博一
サンケン電気
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松本 功
日本酸素 つくば研
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李 一侃
電気通信大学電子工学専攻
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横山 彩
電気通信大学
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中島 誠幸
電気通信大学院電気通信学研究科
著作論文
- 自然超格子を有するGaInP/GaAsヘテロ構造におけるホトルミネッセンスアップコンバージョンの高圧及び高磁場を用いた研究
- C-10-8 電子線描画を用いたAlGaN/GaN HEMTにおけるオン抵抗の低減(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 二次元電子を用いた高性能ホール素子に関する研究(C-10.電子デバイス,一般講演)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si_3N_4薄膜の作製と評価
- PC-1-5 大学におけるマイクロ波半導体回路教育 : プロセス・デバイス・回路・システム統合化の視点からのアプローチ
- C-10-5 階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)