後藤 博一 | サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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概要
関連著者
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後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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後藤 博一
サンケン電気
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町田 修
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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電気通信大学
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鹿内 洋志
サンケン電気株式会社
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内田 和男
電通大
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野崎 眞次
電気通信大学大学院情報理工学研究科
著作論文
- 逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-8 電子線描画を用いたAlGaN/GaN HEMTにおけるオン抵抗の低減(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- GaN on Si パワーデバイスの開発動向
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化
- アナログ方式携帯電話用GaAsパワ-アンプモジュ-ル
- 逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- CS-9-3 電源用GaN on Si電子デバイスの開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)