町田 修 | サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

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概要

• 同名の論文著者
• サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部の論文著者

関連著者

• 町田 修

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 町田 修

  サンケン電気(株)

• 金子 信男

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 町田 修

  サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部

• 金子 信男

  サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部

• 後藤 博一

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 岩上 信一

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 柳原 将貴

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 後藤 博一

  サンケン電気

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 千野 恵美子

  サンケン電気株式会社研究所

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  サンケン電気株式会社 研究所

• 馬場 良平

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 岩渕 昭夫

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 馬場 良平

  サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部

• 岩渕 昭夫

  サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部

• 猪澤 道能

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 矢野 浩司

  国立大学法人山梨大学 大学院医学工学総合研究部

• 松本 俊

  国立大学法人山梨大学 大学院医学工学総合研究部

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著作論文

• 逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化
• 逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電源用AlGaN/GaN FETの開発
• CT-1-6 GaN on Siパワーエレクトロニクスの開発状況と展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)

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