大塚 康二 | サンケン電気株式会社研究所

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概要

• 同名の論文著者
• サンケン電気株式会社研究所の論文著者

関連著者

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 柳原 将貴

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 後藤 博一

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 町田 修

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 高野 秦

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 後藤 博一

  サンケン電気

• 町田 修

  サンケン電気(株)

• 高野 秦

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 金子 信男

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 岩上 信一

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 千野 恵美子

  サンケン電気株式会社研究所

• 勅使川原 秀多

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 千野 恵美子

  サンケン電気株式会社 研究所

• 町田 修

  サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部

• 金子 信男

  サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部

• 今井 哲二

  明星大学情報学部電子情報工学科

• 奥野 浩司

  静岡大学工学部

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 田中 勝治

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 柳原 将貴

  サンケイ電気(株)研究所

• 大塚 康二

  サンケイ電気(株)研究所

• 福家 後部

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 大塚 康二

  サンケン電気(株)led事業部

• 蟹江 壽

  東京理科大学

• 石原 剛

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 四田 泰代

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 佐々木 裕

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 蟹江 壽

  東京理科大学基礎工学部

• 杢 哲次

  サンケン電気(株)研究所

• 朝原 康之

  サンケン電気(株)研究所

• 大城 裕二

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学

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著作論文

• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化
• MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
• MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
• Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長技術とインパクト
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• CS-9-3 電源用GaN on Si電子デバイスの開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• CT-1-6 GaN on Siパワーエレクトロニクスの開発状況と展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• ZnSコンパウンドソースを用いた分子線エピタキシー成長ZnS薄膜の表面観察

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