高野 泰 | 静岡大学工学部

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概要

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関連著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 高木 達也

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 見崎 龍

  静岡大学工学部

• 宮原 亮

  静岡大学工学部

• 小林 佳津

  静岡大学大学院

• 柳原 将貴

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部

• 山田 洋毅

  静岡大学工学部

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 今井 哲二

  明星大学情報学部電子情報工学科

• 華 俊辰

  静岡大学工学部

• 田中 勝治

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 勅使川原 秀多

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 西村 元気

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 岡本 拓也

  静岡大学工学部

• 高野 泰

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 岩瀬 隆幸

  静岡大学 工学部 電気・電子工学科

• 福家 俊郎

  静岡大学 工学部 電気・電子工学科

• 高野 泰

  静岡大学 工学部 電気・電子工学科

• 梅澤 昌義

  静岡大学大学院

• 福家 俊郎

  静岡大学大学院

• 岩堀 英哲

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 小林 佳津

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 黒柳 直人

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 奥野 浩司

  静岡大学工学部

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 小林 知存

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 久留利 智穂

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 浦西 泰樹

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 増田 雅子

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 白川 泰史

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 柔原 憲弘

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 久留利 智穂

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 浦西 泰樹

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 小林 知存

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 藤田 陽平

  静岡大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 中野 貴之

  静岡大学工学部電子物質科学科

• 高野 泰

  静岡大学大学院工学研究科

• 佐々木 輝夫

  静岡大学工学部

• 永木 康文

  静岡大学工学部

• 今井 哲二

  明星大学工学部

• 堀江 陽介

  静岡大学工学部

• 柳原 将貴

  サンケイ電気(株)研究所

• 大塚 康二

  サンケイ電気(株)研究所

• 福家 後部

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 鈴木 博次

  静岡大学工学部電子工学科

• 四田 泰代

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 高野 泰

  静岡大学・工

• 福家 俊郎

  静岡大学・工

• 大塚 廉二

  サンケン電気(株)研究所

• 佐々木 裕

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 高野 泰

  静岡大学工学部電子物質科学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部電子物質科学科

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著作論文

• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• 減圧MOCVD法によるZnS成長の基板面方位依存性
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• SC-7-3 MOCVD法によるSi基板上GaAs結晶成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (シリコン材料・デバイス)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (電子部品・材料)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (電子デバイス)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
• MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状(薄膜プロセス・材料,一般)
• カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性

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