MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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MOCVD法を用いてGaAs基板上にIn_<0.5>Ga_<0.5>As層の低温成長を行った。成長温度は通常600℃付近で行われるが,本研究ではそれより低温の430℃、400℃、370℃で行った。その結果、400℃で成長させた時10^6[/cm^2]オーダーの低い貫通転位密度が得られた.さらに成長温度400℃で高In組成InGaAs,InAs成長を行った。その結果、鏡面が得られた。また、その時の貫通転位密度は〜2×10^7[/cm^2]であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-06
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
高野 泰
静岡大学大学院電子科学研究科
-
梅澤 昌義
静岡大学大学院
-
小林 佳津
静岡大学大学院
-
福家 俊郎
静岡大学大学院
-
高野 泰
静岡大学大学院工学研究科
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