MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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MOCVD法により、低温堆積させたAl薄膜を高温で窒化することにより形成したAlNバッファ層を利用して、(0001)面および(11-20)面サファイア基板上に(10-10)面GaNを成長させる事が出来た。(11-20)面サファイア基板の場合には、基板と成長層の[0001]方位が一致した。しかし、純粋な(10-10)GaN成長層が得られる条件は狭く、510℃における厚さ約20nmのAl層堆積、10分間での1040℃までの昇温、3分間の窒化により、最も結晶性の良い(10-10)GaN成長層が得られた。また、Al層の窒化により形成したAlNバッファ層上に高温AlNバッファ層を堆積することにより、(10-10)面GaN成長層の結晶及び表面平坦性が向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気
-
奥野 浩司
静岡大学工学部
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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