(0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
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概要
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MOCVD法によるGaN成長において、サファイア基板の初期窒化プロセスと低温GaNバッファ層堆積プロセスがGaN成長層の表面モフォロジーと結晶性に与える影響について検討した。サファイア基板を窒化すると結晶性の良好な成長層が得られるが、凹凸の激しい六角形のパターンが現れる。一方、窒化した後に堆積させる低温パッファ層の膜厚を厚くするほどGaN成長層は鏡面になるが、結晶性はそれほど良好ではない。また、成長層の水素中での熱的安定性の違いから、初期窒化は成長層表面をN-terminatedにし、低温GaNバッファ層の堆積は成長層表面をGa-terminatedにすることを示唆する結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
勅使川原 秀多
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
今井 哲二
明星大学情報学部電子情報工学科
-
高野 秦
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
大塚 康二
サンケン電気
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
高野 秦
静岡大学工学部電気電子工学科
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