MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響

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概要

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• MOCVD法による2段階成長法を用いて(0001)面サファイア基板上にGaN層を成長させ、GaN低温バッファ層のアニール過程及び高温GaN層の成長過程におけるキャリアガス組成の影響を調べた。N_2+NH_3中でバッファ層をアニールした場合、H_2+NH_3中の場合と比較して、ほとんど凝集・再構成が行われず、多数の小さい成長核が形成される。N_2+NH_3雰囲気で高温GaN成長を行った場合、成長層は大きな引っ張り歪みを受け、多数のクラックが形成される。これらはバッファ層アニール時の凝集の様子及び成長核の数が成長層の結晶性及び残留歪みに影響を与えていることを示唆している。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-08-06

著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 佐々木 裕

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

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