MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減

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概要

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• 減圧MOCVD装置を用いて、Si基板上に5μmのGaAs層を成長させた。最終層にInをドープすることによっても成長後の冷却中に生じる引っ張り熱歪みの影響を抑制することを試みた。PLによるピーク波長シフトの測定、および断面TEM観察による残留歪みの計算から、Inをドープすることが冷却中に生じる引っ張り歪みの抑制に効果的であることが確認できた。この熱歪みの抑制効果と、GaAs成長中の高温でのサーマルサイクルアニール組み合わせる事により、In_<0.038>Ga_<0.962>As表面において6×10^5cm^<-2>という低い貫通転位密度を得ることが出来た。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-05-17

著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 小林 知存

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 久留利 智穂

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 浦西 泰樹

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 久留利 智穂

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 浦西 泰樹

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 小林 知存

  静岡大学工学部電気・電子工学科

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