MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
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概要
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MOCDV法によるサファイア基板上GaN成長において、バッファ層としてAIN及びGaNを用いて、サファイア基板窒化がGaN成長層へ与える影響について比較、検討した。窒化基板上に成長させた場合、バッファ層の種類に関わらず、表面形態のバッファ層膜厚依存性がみられた。バッファ層膜厚が薄い場合、凹凸の激しい6角形パターンとなった。バッファ層膜厚の増加によって表面形態が改善され、鏡面となる。AINバッファ層の方が膜厚の増加によって、表面形態及び結晶性が急激に変化した。GaN成長層の水素雰囲気中における熱的安定性の違い、及びCAICISSの結果より6角形パターンの現れるGaN成長面は(0001)N面であり、鏡面成長する成長面は(0001)Ga面であることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
勅使川原 秀多
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
大塚 康二
サンケン電気
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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