勅使川原 秀多 | 静岡大学工学部電気・電子工学科
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概要
関連著者
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福家 俊郎
静岡大学工学部
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柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
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伊藤 孝浩
静岡大学工学部
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桑原 憲弘
静岡大学工学部
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勅使川原 秀多
静岡大学工学部電気・電子工学科
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伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
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高野 泰
静岡大学工学部
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角谷 正友
静岡大学工学部
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大塚 康二
サンケン電気
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角谷 正友
「応用物理」編集委員会
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角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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柳原 将貴
サンケイ電気(株)研究所
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大塚 康二
サンケイ電気(株)研究所
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今井 哲二
明星大学情報学部電子情報工学科
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高野 秦
静岡大学工学部電気・電子工学科
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高野 秦
静岡大学工学部電気電子工学科
著作論文
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果