福家 俊郎 | 静岡大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学工学部の論文著者

関連著者

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部

• 藤井 忠邦

  静岡大

• 藤井 忠邦

  静岡大学工学部

• 高木 達也

  静岡大学工学部

• 下平 美文

  静岡大学

• 福家 俊郎

  静岡大学

• 小林 佳津

  静岡大学大学院

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 柳原 将貴

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 今井 哲二

  明星大学情報学部電子情報工学科

• 高野 秦

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 山田 洋毅

  静岡大学工学部

• 見崎 龍

  静岡大学工学部

• 高野 秦

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 勅使川原 秀多

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 高野 泰

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 福家 俊郎

  静岡大学大学院

• 藤田 明

  静岡大学工学部:(現)日本ビクター(株)

• 藤岡 洋

  東京大学大学院工学系研究科

• 田中 勝治

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 本田 秀之

  静岡大学

• 西村 元気

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 岡本 拓也

  静岡大学工学部

• 下平 美文

  静岡大

• 岩瀬 隆幸

  静岡大学 工学部 電気・電子工学科

• 福家 俊郎

  静岡大学 工学部 電気・電子工学科

• 高野 泰

  静岡大学 工学部 電気・電子工学科

• 梅澤 昌義

  静岡大学大学院

• 岩堀 英哲

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 小林 佳津

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 黒柳 直人

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 奥野 浩司

  静岡大学工学部

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 小林 知存

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 久留利 智穂

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 浦西 泰樹

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 増田 雅子

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 吉村 克彦

  静岡大学工学部

• 白川 泰史

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 柔原 憲弘

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 藤岡 洋

  東京大学大学院

• 久留利 智穂

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 浦西 泰樹

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 小林 知存

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 高野 泰

  静岡大学大学院工学研究科

• 井上 幸紀

  静岡大学

• 桑原 憲弘

  静岡大学

• 下平 美文

  静岡大学工学部

• 佐々木 輝夫

  静岡大学工学部

• 永木 康文

  静岡大学工学部

• 今井 哲二

  明星大学工学部

• 丸尾 昭宏

  静岡大学

• 宮崎 裕充

  大学院学生:(現)日本ibm株式会社

• 中井 孝芳

  静岡大学

• 下田 知之

  静岡大学

• 浜側 博

  静岡大

• 中井 孝芳

  静岡大・工

• 柳原 将貴

  サンケイ電気(株)研究所

• 大塚 康二

  サンケイ電気(株)研究所

• 大西 剛

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 大西 剛

  米国ローレンスバークレー国立研究所

• 石原 剛

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 鈴木 博次

  静岡大学工学部電子工学科

• 四田 泰代

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 高野 泰

  静岡大学・工

• 福家 俊郎

  静岡大学・工

• 大塚 廉二

  サンケン電気(株)研究所

• 佐々木 裕

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 伊藤 孝浩

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 大西 剛

  東京大学物性研究所

• 大西 剛

  Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo

• 宮崎 裕充

  静岡大学

• 宮崎 裕充

  大学院学生

• 尾硲 照明

  静岡大

• 平岡 孝

  静岡大

• テイン アオン

  静岡大

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著作論文

• 電流分割法を用いたディジタル・ビデオ信号駆動LED画像表示パネルの基礎研究
• 13)全固体ディジタルLED画像表示デバイスの基礎研究 : 混成ICを用いた64×64画素表示デバイスの試作(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
• 13)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタルテレビジョンの32×32画素受像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
• InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• 減圧MOCVD法によるZnS成長の基板面方位依存性
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造
• SC-7-3 MOCVD法によるSi基板上GaAs結晶成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
• MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• GaN/Al_2O_3成長における低温バッファ層の役割
• 4)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタル画像システムにおける情報処理法のコンピュータ・シミュレーション(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
• 跳躍走査方式を用いた全固体ディジタル画像システムにおける情報処理法のコンピュータ・シミュレーション
• 12)跳躍走査方式を用いた64×64画素撮像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
• 12)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタルテレビジョンの32×32画素撮像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
• 14-2 跳躍走査を用いた64×64画素全固体ディジタル・テレビジョンの基礎的設計と將来の展望
• 7)固体ディジタルテレビジョン用跳躍走査方式による冗長度削減の実験について((第49回テレビジョン電子装置研究会 第7回画像表示研究会)合同研究会)
• ホ-ルド型画像表示における動きぼけ妨害
• H2バイパス・フロ-を用いたGaP上へのZnSヘテロ成長(技術談話室)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面

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