高木 達也 | 静岡大学工学部

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概要

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• 静岡大学工学部の論文著者

関連著者

• 高木 達也

  静岡大学工学部

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 見崎 龍

  静岡大学工学部

• 宮原 亮

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 山田 洋毅

  静岡大学工学部

• 華 俊辰

  静岡大学工学部

• 岡本 拓也

  静岡大学工学部

• 堀江 陽介

  静岡大学工学部

著作論文

• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (シリコン材料・デバイス)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (電子部品・材料)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (電子デバイス)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状 (電子部品・材料)
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
• MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状(薄膜プロセス・材料,一般)
• MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
• MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性

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