MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなかったが、高いPH_3流量を持った830℃で鏡面が得られた。またクロスハッチパターン(CHP)は830℃での膜厚200nmの成長によって得られた。CHPはGaP層の質が高いことを示す。断面TEMにより5nmと40nm厚さのGaP層に積層欠陥と転位が存在しないことを明らかにした。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-05-07

著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 高木 達也

  静岡大学工学部

• 岡本 拓也

  静岡大学工学部

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