MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
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概要
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MOCVD法によるサファイア基板上へのGaN成長では、低温バッファ層堆積技術の開発により結晶性の良好な成長層が得られるようになっているが、低温バッファ層の堆積条件のうち、堆積温度依存性及びあまり議論されていないV/III比依存性について検討した。低温バッファ層堆積時の最適V/III比の値は、高温でのGaN成長において必要とされるV/III比よりかなり低い値となり、その条件ではCaN成長層の結晶性が向上するとともに、バンド端近傍のPL発光強度が深い準位からの発光に比べて増大する。また、バッファ層堆積温度依存性においても、V/III比を低くすると鏡面が得られる堆積温度範囲が広くなる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
今井 哲二
明星大学情報学部電子情報工学科
-
福家 後部
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
大塚 康二
サンケン電気
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
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