伊藤 孝浩 | 静岡大学工学部電気・電子工学科
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概要
関連著者
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伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
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福家 俊郎
静岡大学工学部
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伊藤 孝浩
静岡大学工学部
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大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
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桑原 憲弘
静岡大学工学部
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角谷 正友
静岡大学工学部
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角谷 正友
「応用物理」編集委員会
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角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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大塚 康二
サンケン電気
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柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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高野 泰
静岡大学工学部
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高野 秦
静岡大学工学部電気・電子工学科
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高野 秦
静岡大学工学部電気電子工学科
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勅使川原 秀多
静岡大学工学部電気・電子工学科
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今井 哲二
明星大学情報学部電子情報工学科
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来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学料
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来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学科
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柳原 将貴
サンケイ電気(株)研究所
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大塚 康二
サンケイ電気(株)研究所
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福家 後部
静岡大学工学部電気・電子工学科
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大西 剛
東京工業大学応用セラミックス研究所
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大西 剛
米国ローレンスバークレー国立研究所
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高野 泰
静岡大学大学院電子科学研究科
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石原 剛
静岡大学工学部電気・電子工学科
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福家 俊郎
静岡大学大学院
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伊藤 孝浩
静岡大学大学院電子科学研究科
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大西 剛
東京大学物性研究所
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大西 剛
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
著作論文
- MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
- MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
- InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- GaN/Al_2O_3成長における低温バッファ層の役割