同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
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概要
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- 日本表面科学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
大西 剛
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
大西 剛
米国ローレンスバークレー国立研究所
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
大西 剛
東京大学物性研究所
-
大西 剛
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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