電流分割法を用いたディジタル・ビデオ信号駆動LED画像表示パネルの基礎研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 静岡大学の論文

著者

• 藤田 明

  静岡大学工学部:(現)日本ビクター(株)

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 藤井 忠邦

  静岡大

関連論文

• ディジタル・ビデオ信号駆動、2色LED画像表示パネル
• 跳躍走査方式を用いたディジタル画像情報システムの研究 : 特に3種類の相関を共に考慮した場合について
• 中間調をともなうLED画像表示パネル : 特にLED発光効率バラツキの電子回路的補正法に関する検討
• LED2次元アレイを用いた2色画像表示パネルの研究
• 4)ディジタル・ビデオ信号により直接駆動されたLED画像表示デバイスを構成する薄膜混成立体集積回路
• 11-6 薄膜混成立体集積回路を用いた、ディジタル信号駆動LED2次元マトリクス画像表示デバイスの構造
• ディジタル・ビデオ信号により直接駆動されたLED画像表示デバイスを構成する薄膜混成立体集積回路
• 電流分割法を用いたディジタル・ビデオ信号駆動LED画像表示パネルの基礎研究
• ディジタル・ビデオ信号駆動LED平板形画像表示パネルの研究 : 特に時間分割法について
• 13)全固体ディジタルLED画像表示デバイスの基礎研究 : 混成ICを用いた64×64画素表示デバイスの試作(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
• 13)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタルテレビジョンの32×32画素受像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
• MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
• 電流分割法を用いたディジタル・ビデオ信号駆動 : LED画像表示パネルの基礎研究
• InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• 減圧MOCVD法によるZnS成長の基板面方位依存性
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
• MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造
• SC-7-3 MOCVD法によるSi基板上GaAs結晶成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
• MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• GaN/Al_2O_3成長における低温バッファ層の役割
• 3)LED発光効率のバラツキが画像表示パネルの正確な中間調表示に及ぼす影響とその補正手段
• 4)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタル画像システムにおける情報処理法のコンピュータ・シミュレーション(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
• 跳躍走査方式を用いた全固体ディジタル画像システムにおける情報処理法のコンピュータ・シミュレーション
• 12)跳躍走査方式を用いた64×64画素撮像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
• (13)全固体ディジタル・テレビジョン用発光ダイオード二次元アレイ表示デバイスと, これに関連する諸問題(テレビジョン電子装置研究会(第64回)画像表示研究会(第20回))
• 12)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタルテレビジョンの32×32画素撮像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
• 11)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタルテレビジョン研究の将来性(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
• 14-2 跳躍走査を用いた64×64画素全固体ディジタル・テレビジョンの基礎的設計と將来の展望
• 7)固体ディジタルテレビジョン用跳躍走査方式による冗長度削減の実験について((第49回テレビジョン電子装置研究会 第7回画像表示研究会)合同研究会)
• ホ-ルド型画像表示における動きぼけ妨害
• 跳躍走査方式を用いたディジタル画像情報システムの研究 : 特に3種類の相関を共に考慮した場合について
• H2バイパス・フロ-を用いたGaP上へのZnSヘテロ成長(技術談話室)
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
• MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク