InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
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概要
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MOCVD法によりIn_xGa_<1-x>N低温バッファ層の組成をかえて(100)GaAs基板上にInGaN層を成長させた。InGaN低温バッファ層のIn組成(Inモル流量比)が大きいほど、幅広いバッファ層堆積条件において、C軸配向した六方晶相の成長が抑制され、立方晶の成長が支配的になった。逆格子マッピング測定から、InGaN成長中の表面荒れにより現れる(111)ファセットからC軸が基板表面より54.7゜傾いた六方晶相が成長することが観測された。この六方晶相の混在はInGaN成長時の堆積速度を下げると抑制されることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-04
著者
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
今井 哲二
明星大学情報学部電子情報工学科
-
高野 秦
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
大塚 康二
サンケン電気
-
石原 剛
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
-
高野 秦
静岡大学工学部電気電子工学科
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