MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
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概要
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MOCVD法によりGaAs基板上にグレ-デッドInGaAs成長をさせた。結晶性の低下につながる歪みを軽減させる為にグレーデッド層とIn組成一定層との間にアニールを行った。またグレーデッド最終層よりもIn組成の低い一定層を堆積させる(overshoot)ことでも歪みの軽減を試みた。アニールすることで一定層が受ける歪みは軽減することが分かった。しかしアニール条件によっては表面モフォロジーの悪化、さらに貫通転位の増加につながることにもなった。またovershootによる歪みの軽減が結晶性向上に効果があるとは言えなかった。結晶の評価はX線回折による半値全幅(FWHM) および曲率半径、断面TEM、AFMにより行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
西村 元気
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
白川 泰史
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
柔原 憲弘
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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