MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係

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概要

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• 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板上に作製したGaPにはアンチフェーズドメイン(APD)とよばれる欠陥が発生しやすい。APDを抑制する目的でSi基板に2°及び4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし、PH_3照射下でGa原料(トリエチルガリウム)を供給することによりGaPをさせた。成長前にSi基板を熱処理した。GaP層を原子間力顕微鏡観察及び透過電子顕微鏡観察した。4°オフ基板上ではシングルドメインのGaPが得られた。しかしGaP成長初期に数のAPDが観察された。GaP成長直前のSi基板の熱処理温度及び水素圧力を変えるとAPDの発生量が変化した。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-08-01

著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 高木 達也

  静岡大学工学部

• 宮原 亮

  静岡大学工学部

• 堀江 陽介

  静岡大学工学部

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