MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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• 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし、Ga原料(トリメチルガリウム)とPH_3(フォスフィン)を供給してGaPを成長させた。成長層を原子間力顕微鏡と透過電子顕微鏡で観察した。GaPを20nm程度堆積し、原子間力顕微鏡で観察すると、20nm以上の凹部が観察される事があった。断面TEM観察した結果、Si表面が窪んでいる事が明らかになった。いくつかの成長条件で作製したGaP/Si界面を調べた。その結果、適切な成長速度でGaPを成長させる事が必要である事が分かった。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-10-19

著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 高木 達也

  静岡大学工学部

• 宮原 亮

  静岡大学工学部

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