MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
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概要
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MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長において一般に低温バッファ層が用いられているが、本研究ではバッファ層のアニール時間がバッファ層自体の特性、及びその上に成長させた高温GaN成長層の結晶性などへ影響について成長結晶の極性を考慮しながら調べた。初期窒化したサファイア基板上(N面成長)では、バッファ層は凝集再配列せず、再蒸発速度も速い。そのために、GaN成長層の結晶性のバッファ層アニール時間依存性は大きい。また、窒化しない基板上(Ga面成長)では、GaNバッファ層は基板との反応が起こりやすく、AlGaN混晶として残る。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気
-
四田 泰代
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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