Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化
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概要
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- 2003-09-26
著者
-
後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
町田 修
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
金子 信男
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
岩上 信一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
千野 恵美子
サンケン電気株式会社研究所
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
千野 恵美子
サンケン電気株式会社 研究所
-
大塚 康二
サンケン電気
-
後藤 博一
サンケン電気
-
町田 修
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
町田 修
サンケン電気(株)
-
金子 信男
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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