Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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Si基板上に作製したAlGaN/GaN HFETの耐圧を評価した.GaN/AlNバッファ層を用いて,アンドープGaN層,アンドープAlGaN層を,MOVPE法によりSi基板上に成長した.エピタキシャル成長層が薄い場合,縦方向特性を測定することで,ドレインリーク電流がSi基板を流れていることを確認した.エピタキシャル成長層が厚い場合は,ドレインリーク電流はGaN/AlNバッファ層上部と表面近傍の2次元電子ガス(チャネル)層を経由して流れていると考えられた.素子分離を行うことでこのリーク電流は抑制され, 550V以上の破壊電圧を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
町田 修
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
金子 信男
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
岩上 信一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
千野 恵美子
サンケン電気株式会社研究所
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
千野 恵美子
サンケン電気株式会社 研究所
-
大塚 康二
サンケン電気
-
後藤 博一
サンケン電気
-
町田 修
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
町田 修
サンケン電気(株)
-
金子 信男
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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