電源用AlGaN/GaN FETの開発
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概要
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AlGaN/GaN FET with a built-in SBD which has a reverse conductive operation and normally-off characteristics is fabricated for the purpose of designing GaN power device for power supply. The fabricated device exhibited a threshold voltage of +0.8V and excellent reverse conductive characteristics. In addition, low capacitance characteristics are obtained due to the reduction of mirror effect. From these results, it is confirmed that the fabricated device is effective for low loss power switching device.
- 2010-06-01
著者
-
町田 修
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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金子 信男
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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馬場 良平
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
岩渕 昭夫
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
矢野 浩司
国立大学法人山梨大学 大学院医学工学総合研究部
-
松本 俊
国立大学法人山梨大学 大学院医学工学総合研究部
-
町田 修
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
町田 修
サンケン電気(株)
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金子 信男
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
馬場 良平
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
岩渕 昭夫
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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