逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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ノーマリオフ型GaN FETとGaN SBDを融合した逆導通GaN FETを試作した.試作した逆導通GaN FETはSBD並列型FETとSBD内蔵型FETの2種類で,両者とも良好な逆導通動作,リカバリ特性を示した.また,SBD内蔵型FETは特にQgdが少なくスイッチング時間が短い特性を示した.逆導通GaN FETを搭載したGaNインバータを作製して3相誘導モータを駆動し,その良好な動作波形を確認した.
- 2009-01-07
著者
-
後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
町田 修
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
金子 信男
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
馬場 良平
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
猪澤 道能
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
岩上 信一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
岩渕 昭夫
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
後藤 博一
サンケン電気
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町田 修
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
町田 修
サンケン電気(株)
-
金子 信男
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
馬場 良平
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
-
岩渕 昭夫
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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