MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV

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概要

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• Buffer layer annealing conditions were investigated in order to obtain high quality GaN grown layers. It was found that the GaN grown layers with good crystallinity could be grown irrespective of buffer layer thickness by optimizing an annealing condition.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1998-07-01

著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 柳原 将貴

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

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