カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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非線形光学に用いられるGaNは、結晶格子の反転した擬似位相整合を用いている。我々はこれらの結晶構造の作製方法として、カーボンマスクを用いたMOVPE法での両極性同時成長プロセスを提案し、その方法により周期的極性反転GaN薄膜を作製した。カーボンマスクによる基板窒化の選択処理により従来の結晶成長方法と差異のない成長方法にて両極性同時成長を実現した。本研究では、窒化条件やマスク除去条件の最適化により両極性同時成長を実現した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-09
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